باسلام
MOSFET) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
[hide]
در ساخت يک ترانزيستور اثر ميدانی پايه گيت را از کانال جدا میکنند که در نتيجة آن دو نوع
MOSFET تهی(
depletion) و افزايشی(
enhancement) ساخته میشود. در نوع تهی, کانالی بين درين و سورس وجود دارد که جريان عبوری از آن به ولتاژ اعمال شده به اين دو قطب بستگی دارد. در نوع افزايشی, کانالی بين درين و سورس بهنگام ساخت ايجاد نمیشود, بلکه با اعمال ولتاژ به گيت, کانالی از حاملهای باردار ايجاد میشود بطوريکه با اعمال ولتاژ به دو سر درين و سورس, میتوان جريانی در کانال بوجود آورد. همچنين در نوع افزايشی, ولتاژ گيت جريان از سورس به درين را افزايش میدهد (برعکس نوع تهی که ولتاژ بکار رفته, جريان از سورس به درين را کاهش میدهد). پس معمولاً ترانزيستورهای افزايشی خاموش هستند, درحاليکه
FET های تهی روشن اند. نکتة با اهميت در اين نوع ترانزيستور اين است که جريان ورودی گيت در آن صفر میباشد.
میتوان از اکسيد سيليکن برای کانال
n و يک فلز برای گيت ترانزيستور استفاده کرد. ممکن است در اين نوع ترانزيستور, پايانة چهارمی (بعد از گيت, سورس و درين) هم تعبيه شود بنام بدنه(body or bulk) يا بالک که اين پايانه ولتاژ آستانه را برای کار آن تنظيم میکند.
ولتاژی منفی, بين گيت و سورس, الکترونها را از کانال رانده و آنجا را بصورت ناحيه تهی درمیآورد. اگر اين ولتاژ بحد کافی بزرگ باشد, کانال بوضعيت قطع درخواهدآمد. از سوی ديگر, ولتاژ مثبت بين گيت و سورس باعث افزايش اندازه کانال میشود و لذا جريان بيشتری را در کانال نتيجه میدهد.
مدارهای مجتمع موسفت, تکنولوژی غالب در صنايع نيمه هادی هستند. امروزه, صدها نوع مدار از ترانزيستور موس, اعم از گيتهای منطقی ساده, مورد استفاده در پردازش سيگنال ديجيتالی، تا طرح های سفارشی هم از نوع منطقس و هم از نوع حافظه روی يک تراشة سيليسيوم توليد میشوند. محصولات موس بطرز چشمگير و بيشماری در سيستمهای الکترونيکی, از جمله کامپيوترهای معمولی امروزی يافت میشوند. از
MOSFET ها نيز بيشتر در سوئيچينگ استفاده میشود.
[/hide]
منظور از آستانه یا نقطه شروع، سطح تنظیم که اگر سیگنال از آن پایین تر برود عملی انجام میدهد
[hide]
CMOS (Complementary
Metal
Oxide
Semiconductor
)
در مدارات ديجيتال, اتصال ترانزيستورهای
e-pMOS و
e-nMOS قطعهای بنام
CMOS را میسازد؛ يعنی با قرار دادن يک
MOSFET کانال
n و يک
MOSFETکانال
p روی يک مادة زمينه. ورودی به گيت هر دو ترانزيستور pMOS و nMOS اعمال میشود و يک ورودی مثبت سبب خاموش شدن pMOS و روشن شدن nMOS میگردد که در نتيجه خروجی به صفر افت میيابد.
اصطلاح
مکمل بيانگر اين است که برعکس ديگر فنآوری های مدار موس, موسفت های کانال
n (حامل جريان الکترون) و موسفتهای کانال
p (حامل جريان حفره), هر دو روی يک تراشه ساخته میشوند. اين ساخـتار کـاربرد بسياری در مـدارهای منطقی در طرح مدارهای منطقی کامپيوتور دارد. از مشخصه های آن امپدانس نسبتاً زياد ورودی, سرعت سويئچينگ بالاتر و توان پايينتر است. از کاربردهای بسيار مؤثر اين قطعه, استفاده از آن بعنوان م ع ک و س کننده (وارونگر) است که "وارونه" سيگنال اعمال شده را نتيجه میدهد.
مقدار کم ورودی باعث روشن شدن pMOSو خاموش شدن nMOS میشود, پس خروجی به سطح ولتاژ
VDD+ خواهد رسيد. اين قطعه بيشتر در مدارهای ديجيتال استفاده میشود تا با کار خروجی آن
0V يا
5V بدست آيد, همچنين اغلب آیسیهای کمتوان با ترانزيستورهای
CMOS ساخته میشوند.
[/hide]