آی پی امداد
آی پی امداد
آریا الکترونیک parcham تکشو

درخواست: شرح مختصری مفید درباره عملکرد این 2 قطعه

Ebadiyan

VIP+ افتخاری
کاربر
2009-08-11
494
1,948
با سلام اگر کسی اطلاعات راجب این دو قطعه و نحوه عملکرد دارد دریغ نکند
 

پیوست‌ها

  • 100.9 کیلوبایت بازدیدها: 171

reza_476

کاربران vip(افتخاری)
vip افتخاری
کاربر
2009-10-19
4,007
45,266
ایران
باسلام
Si7121DN.jpg
[hide]
Si7121DN[FONT=&quot] یک ترانزیستور ماسفت پی کانال 30 ولت است دارای 8 پایه 4 پایه های زیرین درین و یک پایه سمت راست بالایی گیت و سه پایه دیگر سورس میباشد در مدارات شارژر باتری و آداپتورهای سوئیچینگ نوت بوک کاربرد دارد [/FONT]​
[/hide]
 

reza_476

کاربران vip(افتخاری)
vip افتخاری
کاربر
2009-10-19
4,007
45,266
ایران
باسلام

2N7002W.jpg

[hide][/hide]
[hide]
2N7002W
یک ترانزیستور ماسفت اس ام دی، ان کانال، 60 ولت دارای مشخصه های: مقاومت ورودی پایین و ولتاژ آستانه گیت کم و خازن ورودی با ظرفیت کم و سرعت سوئیچ سریع است.
[/hide]

 

Ebadiyan

VIP+ افتخاری
کاربر
2009-08-11
494
1,948
سلام تشکر از شما ///
1-فقط درین و گیت رو یکم توضیح بدید
2-استانه گیت و ان کانال رو هم همینطور
 
آخرین ویرایش:

sovietiran

VIP+ افتخاری
کاربر +vip پلاس
vip
vip افتخاری
کاربر
2010-06-24
1,877
9,756
خراسان بزرگ!
درود
بنده مختصری میدانم و جهت توضیح عرض میکنم.
ماس فت( metal oxide surface field effective TRANSISTOR ) ساختاری به شکل زیر دارد.
با اعمال ولتاژ بسیار کم به گیت جریان بین سورس و درین برقرار میشود.
b هم بیس یا زیرساختی است که کریستالهای نیمه هادی روی آن هستند.(با بیس در ترانزیستور عادی فرق دارد).
بسته به اینکه کریستال منفی یا منثبت باشد ماس فت را ان کانال یا پی کانال مینامند.
ماسفت نسبت به ترانزیستور معمولی امپدانس ورودی بالا و بالتبع نیاز به ولتاژ گیت کم دارد اما با نویز تحریک میشود بنابراین در گیست مدار خاموش ساز استفاده میشود.
اطلاعات من مختصر است و اگر احتیاج به بررسی علمی دارید باید دوستانی که الکترونیک تئوری میدانند راهنمایی فرمایند.
بدرود
 

پیوست‌ها

reza_476

کاربران vip(افتخاری)
vip افتخاری
کاربر
2009-10-19
4,007
45,266
ایران
باسلام
MOSFET) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)​
[hide]
در ساخت يک ترانزيستور اثر ميدانی پايه گيت را از کانال جدا میکنند که در نتيجة آن دو نوع MOSFET تهی(depletion) و افزايشی(enhancement) ساخته می‌شود. در نوع تهی, کانالی بين درين و سورس وجود دارد که جريان عبوری از آن به ولتاژ اعمال شده به اين دو قطب بستگی دارد. در نوع افزايشی, کانالی بين درين و سورس بهنگام ساخت ايجاد نمی‌شود, بلکه با اعمال ولتاژ به گيت, کانالی از حامل‌های باردار ايجاد می‌شود بطوريکه با اعمال ولتاژ به دو سر درين و سورس, می‌توان جريانی در کانال بوجود آورد. همچنين در نوع افزايشی, ولتاژ گيت جريان از سورس به درين را افزايش می‌دهد (برعکس نوع تهی که ولتاژ بکار رفته, جريان از سورس به درين را کاهش می‌دهد). پس معمولاً ترانزيستورهای افزايشی خاموش هستند, درحاليکه FET های تهی روشن اند. نکتة با اهميت در اين نوع ترانزيستور اين است که جريان ورودی گيت در آن صفر می‌باشد.
می‌توان از اکسيد سيليکن برای کانال n و يک فلز برای گيت ترانزيستور استفاده کرد. ممکن است در اين نوع ترانزيستور, پايانة چهارمی (بعد از گيت, سورس و درين) هم تعبيه شود بنام بدنه(body or bulk) يا بالک که اين پايانه ولتاژ آستانه را برای کار آن تنظيم می‌کند.
ولتاژی منفی, بين گيت و سورس, الکترونها را از کانال رانده و آنجا را بصورت ناحيه تهی درمی‌آورد. اگر اين ولتاژ بحد کافی بزرگ باشد, کانال بوضعيت قطع درخواهدآمد. از سوی ديگر, ولتاژ مثبت بين گيت و سورس باعث افزايش اندازه کانال می‌شود و لذا جريان بيشتری را در کانال نتيجه می‌دهد.
مدارهای مجتمع موسفت, تکنولوژی غالب در صنايع نيمه هادی هستند. امروزه, صدها نوع مدار از ترانزيستور موس, اعم از گيتهای منطقی ساده, مورد استفاده در پردازش سيگنال ديجيتالی، تا طرح های سفارشی هم از نوع منطقس و هم از نوع حافظه روی يک تراشة سيليسيوم توليد می‌شوند. محصولات موس بطرز چشمگير و بيشماری در سيستمهای الکترونيکی, از جمله کامپيوترهای معمولی امروزی يافت می‌شوند. از MOSFET ها نيز بيشتر در سوئيچينگ استفاده می‌شود.
[/hide]
منظور از آستانه یا نقطه شروع، سطح تنظیم که اگر سیگنال از آن پایین تر برود عملی انجام میدهد
[hide]
CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)
در مدارات ديجيتال, اتصال ترانزيستورهای e-pMOS و e-nMOS قطعه‌ای بنام CMOS را می‌سازد؛ يعنی با قرار دادن يک MOSFET کانالn و يک MOSFETکانال p روی يک مادة زمينه. ورودی به گيت هر دو ترانزيستور pMOS و nMOS اعمال می‌شود و يک ورودی مثبت سبب خاموش شدن pMOS و روشن شدن nMOS می‌گردد که در نتيجه خروجی به صفر افت می‌يابد.
اصطلاح مکمل بيانگر اين است که برعکس ديگر فن‌آوری های مدار موس, موسفت های کانال n (حامل جريان الکترون) و موسفت‌های کانالp (حامل جريان حفره), هر دو روی يک تراشه ساخته می‌شوند. اين ساخـتار کـاربرد بسياری در مـدارهای منطقی در طرح مدارهای منطقی کامپيوتور دارد. از مشخصه های آن امپدانس نسبتاً زياد ورودی, سرعت سويئچينگ بالاتر و توان پايين‌تر است. از کاربردهای بسيار مؤثر اين قطعه, استفاده از آن بعنوان م ع ک و س کننده (وارونگر) است که "وارونه" سيگنال اعمال شده را نتيجه می‌دهد.
مقدار کم ورودی باعث روشن شدن pMOSو خاموش شدن nMOS می‌شود, پس خروجی به سطح ولتاژ VDD+ خواهد رسيد. اين قطعه بيشتر در مدارهای ديجيتال استفاده می‌شود تا با کار خروجی آن 0V يا 5V بدست آيد, همچنين اغلب آی‌سی‌های کم‌توان با ترانزيستورهای CMOS ساخته می‌شوند.
[/hide]
 
آخرین ویرایش:

lidoma.ayoub

کاربر
2010-09-22
2
5
این دوقطعه معمولاً در مدار کنترل آداپتور لپ تاپ به کار میرن.خرابیشونم زیاده.حتماً هم باید در اندازه SOT-323 خریداری و تعویض بشن.برای مثال یه لپ تاپ دل آوردن هیچ آداپتوری رو شناسایی نمی کرد و باتری رو شارژ نمی کرد.با تعویض 2n7002w درست شد.
 

Reza4213

کاربر
2020-07-29
23
7
کرمان
سلام.به مدیران محترم سایت.تلویزیون الجی ۲۴ اینچ .قسمت پاور سالم هست قسمت افقی ترانزیستور قدرت سوخته بود تعویض کردم .روش نمیشود لطفا راهنمای کنید با تشکر همدمی
 
  • Like
واکنش‌ها[ی پسندها]: 1212ali
بالا