آی پی امداد
آی پی امداد
آریا الکترونیک parcham تکشو

یك ایرانی سریع‌ترین «ترانزیستور» جهان را ساخت

Tanesh

کاربر
2008-10-05
61
584
یك عضو هیات علمی گروه الكترونیك دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی موفق به ساخت سریع‌ترین ترانزیستور جهان شد كه می‌تواند تحولی مهم در ابررایانه‌ها و سایر تجهیزات پیشرفته الكترونیكی با كاربردهای ویژه ایجاد كند.
به گزارش ایسنا، مقاله مربوط به طرح ابتكاری دكتر فرشید رییسی كه در مجله معتبر بین‌المللی Applied Physics Letters آمریكا نیز ارائه شده، بازتاب وسیعی در نشریات و رسانه‌های علمی فیزیك جهان داشته است.
دكتر رییسی با بیان این مطلب اظهار كرد: در طراحی این ترانزیستور به جای «الكترون» از «سالیتان» (بسته‌های امواج الكترومغناطیسی) كه با سرعت نور حركت می‌كند، استفاده شده است.
عضو هیات علمی گروه الكترونیك دانشگاه دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی در خصوص مزیت این طرح نسبت به ترانزیستورهای معمولی گفت: ترانزیستور «سالیتانی» (SOLITON TRANSISTOR ) می‌تواند صدها برابر سریع‌تر از ترانزیستورهای معمولی كه توسط نیمه هادی‌ها ساخته می‌شوند، عمل كند.
دكتر رییسی افزود: این ترانزیستور در ابعاد 8 دهم میلیمتر ساخته شده و سرعتی حدود 8 گیگا هرتز دارد كه در مقایسه با ترانزیستورهای معمولی (حدود 5/2 گیگا هرتز) سه برابر بیشتر است و هر چه ابعاد آن كوچكتر باشد، سرعت ترانزیستور افزایش می‌یابد.
دكتر رییسی با اشاره به این كه قطعات مورد نیاز این ترانزیستور از خارج كشور تهیه می‌شود، اظهار كرد: تولید این ترانزیستور به آزمایشگاه‌های ساخت قطعات نیمه هادی نیازمند است كه متاسفانه در كشور وجود ندارد، ‌در حالی كه هزینه تهیه یك آزمایشگاه ساخت ترانزیستور «سالیتانی» نسبت به هزینه آزمایشگاه‌های ساخت ترانزیستورهای كنونی بسیار كمتر است.
وی افزود: در صورت تجهیز آزمایشگاه ساخت قطعات نیمه هادی در كشور، با تهیه ترانزیستورهای سالیتانی در ابعاد صد نانومتر، می‌توان سرعت فركانسی آن را به حدود 200 تا 300 گیگا هرتز رساند تا در مواردی نظیر ابررایانه‌ها و فعالیت‌های دفاعی كه سرعت ترانزیستور اهمیت دارد، به كار رود.
این پژوهشگر در پایان خاطر نشان كرد: ترانزیستور «سالیتانی» علاوه بر سرعت سه برابر بیشتر نمونه اولیه آن نسبت به سریع‌ترین ترانزیستور‌های موجود در بازار، از لحاظ هزینه تولید از ترانزیستورهای نیمه هادی با كاربری در CPU‌ها بسیار ارزانتر است.
گفتنی است، دكتر رییسی تحصیلات كارشناسی خود را در رشته مهندسی الكترونیك در دانشگاه ایالتی «لویی‌زیانا» و تحصیلات كارشناسی ارشد و دكتری خود را در دانشگاه ویسكانسین - مدیسون آمریكا به پایان برده، علاوه بر این طرح، تحقیقات و مقالات علمی متعددی داشته كه در معتبرترین نشریات و كنفرانس‌های بین‌المللی فیزیك ارائه شده است
خبر از :بینا کامپیوتر​
 

Tanesh

کاربر
2008-10-05
61
584
مهندسین آمریکایی ترانزیستور سرعت بالائی را از نانولوله‌های کربنی ساخته‌اند. پیتر برک و همکارانش در دانشگاه کالیفرنیا (در ایروین) نشان دادند که وسیله آنها (یک نانولولة تک‌دیواره که به صورت ساندویچ، بین دو الکترود طلا قرار گرفته است) ‌در فرکانس‌های میکروویو بسیار سریع کار می‌کند

. نتیجه حاصل،‌ گامی مهم در تلاش برای تولید اجزاء نانوالکترونیک است که می‌تواند جایگزین سیلیکون در کاربردهای الکترونیکی متعدد شود. امروزه مدارهای میکروالکترونیکی متداول، کوچک و کوچک‌ترشده، به نظر می‌رسد که طی دهة آینده به محدودیت‌های ناشی از خواص بنیادی سیلیکون برسند. خواص نیمه‌رسانایی نانولوله‌های کربنی، آنها را به جایگزینی مطمئن برای سیلیکون تبدیل می‌کند. هم‌اکنون این نانولوله‌ها در ساخت اجزاء الکترونیکی متعددی از جمله دیودها و ترانزیستورهای اثر میدانی به کار برده می‌شوند. ترانزیستورهای معمولی سه ترمینال دارند: الکترودهای سورس 1، درین 2 و گیت 3. الکترود گیت، چگالی الکترون‌ها را در ناحیه کروی ترانزیستور که معمولاً از مواد نیمه‌رسانا ساخته می‌شود، کنترل می‌نماید. تصویر
SEM از نانولوله تک دیواره نیمه‌هادیS Li et al. 2004 Nano Lett. 4 753چنانچه چگالی الکترون بالا باشد، جریان از سورس به درین می‌رود و اگر چگالی پائین باشد، جریانی برقرار نمی‌شود. این خاصیت سبب می‌شود تا ترانزیستور همانند سوئیچ تبدیل عمل نماید. برک و همکارانش ترانزیستورهای خود را با قراردادن یک نانولوله تک‌دیواره به صورت ساندویچی بین الکترودهای طلائی سورس و درین (به شکل رجوع کنید) ساختند. هنگامی که آنها ولتاژ گیت را تغییر دادند، دریافتند که این مدار با فرکانس 6/2 گیگا هرتز کار می‌کند. این به معنای خاموش و روشن‌شدن (قطع و وصل) جریان در حدود 1/0 نانوثانیه است که باعث شده است تا این وسیله سریع‌ترین ترانزیستور نانولوله‌ای ساخته‌شده تاکنون باشد. در حال حاضر، این وسیله در دمای 4 درجه کلوین کار می‌کند. اما برک مطمئن است که می‌توان آن را طوری ساخت که در دمای اتاق کار کند. به‌علاوه او معتقد است که این ترانزیستور را می‌توان به نحوی ساخت که حتی در فرکانس‌های بالاتر نیز کار کند. وی می‌گوید: "تخمین من برای حد سرعت نظری این ترانزیستور1012 هرتز (تراهرتز) است که 1000 برابر سریع‌تر از سرعت رایانه‌های جدید می‌باشد
خبراز :ECA​
 
آخرین ویرایش:

Tanesh

کاربر
2008-10-05
61
584
ثبت یک هزار اختراع در بنیاد نخبگان
معاون علمی و فناوری ریاست جمهوری از ثبت 1000 اختراع در سامانه الکترونیکی بنیاد نخبگان خبر داد.
صادق واعظ زاده در نشستی خبری با اشاره به ارزیابی اختراعات کشور بعنوان یکی از فعالیتهای این معاونت در حوزه نوآوری گفت: بنیاد ملی نخبگان با توجه به ملاکهای سه گانه ((تطابق با مبانی علمی ،وجود نوآوری و قابلیت کاربردی شدن ))1000 اختراع را در سامانه الکترونیکی سایت http://www.bmn.ir ثبت کرده است.
وی حمایت از مخترعان، کمک به پارکهای علمی و فناوری و تسهیل خدمت رسانی دستگاههای دولتی به نوآوران را از دیگر فعالیتهای معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری در حوزه نو آوری بیان کرد و افزود: در جشنواره ملی نوآوری و شکوفایی که برای نخستین بار در دهه فجر پارسال برگزار شد 400 نوآوری و اختراع مورد تایید و حمایت واقع شد که می توان از آن بعنوان یکی دیگر از فعالیتهای این معاونت یاد کرد.
صادق زاده از رفع موانع و تسهیل تجاری سازی نوآوریها بعنوان مهمترین فعالیت حوزه نوآوری درسال گذشته یاد کرد و گفت: تهیه لایحه و تصویب دولت در حمایت از شرکتهای دانش بنیان و تجاری سازی اختراعات و نوآوریها سبب می شود موانع تاسیس و فعالیت این شرکتها مرتفع و تسهیلات بی سابقه در اختیار آنها قرار گیرد.
وی افزود: هم اکنون این لایحه در کمیسیونهای مجلس در دست بررسی است که تصویب و اجرای آن موجب تحول عظیم در هم افزایی علم و ثروت و بهره مندی جامعه از نتیجه تلاشهای علمی و فناوری خواهد شد.
معاون علمی و فناوری ریاست جمهوری درباره آیین‌نامه تسهیل دسترسی نخبگان به امکانات آزمایشگاه‌ها، کارگاهها، کتابخانه‌ها و مراکز اطلاع رسانی دولتی گفت :این آیین نامه در دولت تهیه و تصویب شده و تمامی دستگاه‌ها باید برای اجرای آن دستور العملی را ارائه دهند، از این رو چارچوبی برای ارائه دستور العمل‌ها به همه دستگاه‌ها ارائه شد تا مشخص شود نخبگان به کجا مراجعه و از چه خدماتی می‌توانند استفاده کنند.
وی با بیان اینکه تاکنون پیگیری‌های ارائه این دستور العمل‌ها از سوی دستگاه‌ها انجام شده است گفت: وزارت نیرو اولین دستگاهی است که از یکماه پیش دستور العمل خود را برای پذیرش نوآوران، ارائه داد.
بنابر آیین نامه ای که در دولت تصویب شد آزمایشگاهها وکارگاههای وزارتخانه ها، دانشگاهها و دستگاهها باید به روی نوآوران باز باشد.
واعظ زاده همچنین در پاسخ به خبرنگاری درباره نداشتن تعامل این معاونت با مجلس درباره ارائه گزارش قانون 1% به مجلس گفت: معاونت از ابتدای تاسیس تاکنون تعامل بسیار خوبی با مجلس داشته به طوری که ابتدا برنامه‌های معاونت در دو سال گذشته به تصویب مجلس شورای اسلامی رسیده است.
وی گفت :تعامل خوبی نیزدر ارائه گزارش‌ها به مجلس شورای اسلامی برقرار بوده به طوری که بارها در کمیسیون آموزش و تحقیقات، کمیسیون بهداشت و درمان، اقتصاد، تلفیق، فراکسیون مخترعان حضور یافته و گزارش های مفصلی از فعالیت‌های معاونت را به مجلس ارائه داده ایم.
معاون علمی و فناوری رئیس جمهور همچنین درباره ثبت اختراعات در عرصه بین المللی خاطر نشان کرد: در طول برنامه چهارم توسعه ( از سال 84 تا کنون) بیش از 25 هزار اختراع در کشور به ثبت رسیده اما اختراعاتی که از ایران در مراجع بین المللی ثبت می شود بحث دیگری است.
وی افزود: برای این منظور نیز حمایتهای گسترده ای فراهم شده به طوریکه هزینه های اولیه مخترعان از طریق صندوق حمایت از پژوهشگران و بنیاد ملی نخبگان جبران می شود.
معاون علمی و فناوری رئیس جمهور با اشاره به اینکه این معاونت نیز منابع اولیه یعنی فایل کردن را در اختیار مخترعان قرار می دهد گفت: در سالهای اخیر انتشار مقاله های علمی در سطح بین المللی با رشد فزاینده ای روبرو بوده است که امیدواریم ثبت اختراعات نیز در سطح بین المللی این روند را طی کند .​
 
بالا